硫化亚铜纳米环状结构半导体材料及其制备方法

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专利(申请)号: CN201310752281.1
专利类型: 发明专利
所属行业: C01:无机化学
法律状态: 有效
申请日: 2013-12-31
公开号: CN103739001A
公开日: 2014-04-23
权利人: 华东师范大学
交易方式: 待定 
参考价值: ----
该专利已入库未进入交易状态
发布方资料信息
 
 
本发明公开了一种硫化亚铜微米环状结构半导体材料,其中包括片状物构成的层级结构和颗粒构成的多孔环状结构。本发明还公开了所述硫化亚铜微米环状结构半导体材料的制备方法,将无水乙醇和去离子水混合制备混合溶液,分别制备硫脲溶液和CuCl溶液,然后均匀混合;加入反应釜中,密封,在150℃下反应5小时;反应完成后,将反应物置于硅片上,在55℃下烘烤,得到所述硫化亚铜微米环状结构半导体材料。本发明具有低成本,生长温度较低,重复性较高的优点,在光催化工业污染废水方面和场发射发光方面有极大的潜力。

 
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