制备CeO2种子层的多通道激光镀膜方法

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专利(申请)号: CN201110197344.2
专利类型: 发明专利
所属行业: C23:金属涂料
法律状态: 有效
申请日: 2011-07-14
公开号: CN102268643A
公开日: 2011-12-07
权利人: 上海交通大学
交易方式: 待定 
参考价值: ----
该专利已入库未进入交易状态
发布方资料信息
 
 
本发明公开一种制备CeO2种子层的多通道激光镀膜方法,该方法采用多通道传动装置,在退火后的镍-钨金属基带上通过多通道激光蒸发镀膜方法制备CeO2种子层。在镀膜过程中,通过辊轴缠绕多次通过镀膜区,从而大大加快了基带上CeO2种子层镀膜速度,可达每小时百米以上,适合于公里级长带的制备。本发明镀膜时采用的气氛为氩气和氢气的混和气体。氩气为惰性气体,主要起缓冲作用。氢气的主要作用是在镀膜过程中消耗镀膜腔内残留的氧气,以防止在高温镀膜情况下基带表面氧化从而影响CeO2种子层的取向。另外,镀膜气氛采用氩气和氢气的混和气体可以大大降低对镀膜系统本底真空度的要求,节省设备投资,降低带材成本。

 
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